基本信息:
- 专利标题： 역 스태거드 박막 트랜지스터 구조를 이용한 2비트 저항성 메모리 소자
- 专利标题（英）：Two bit rram using inverted staggered thin film transistor structure
- 专利标题（中）：使用反转的薄膜薄膜晶体管结构的两位RRAM
- 申请号：KR1020110015241 申请日：2011-02-21
- 公开(公告)号：KR101113885B1 公开(公告)日：2012-03-06
- 发明人： 박병국 , 권대웅 , 김장현 , 장지수 , 김상완
- 申请人： 서울대학교산학협력단
- 申请人地址： 서울특별시 관악구 관악로 * (신림동)
- 专利权人： 서울대학교산학협력단
- 当前专利权人： 서울대학교산학협력단
- 当前专利权人地址： 서울특별시 관악구 관악로 * (신림동)
- 代理人： 권오준
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115 ; H01L21/8247
摘要：
PURPOSE: A two-bit resistance memory device using an inverted staggered thin film transistor structure is provided to improve integration by forming a source electrode and a drain electrode to be asymmetrical. CONSTITUTION: A gate electrode(10) is formed on an insulating substrate. A gate insulating layer(20) is formed on the gate electrode. An active layer(30) is formed on the gate insulating layer. A resistance variable layer(40) is formed on the active layer. A source electrode(50) and a drain electrode(60) are formed on the resistance variable layer.
摘要（中）：
目的：提供使用反交错薄膜晶体管结构的2位电阻存储器件，以通过将源电极和漏电极形成为不对称来提高积分。 构成：在绝缘基板上形成栅电极（10）。 栅极绝缘层（20）形成在栅电极上。 在栅绝缘层上形成有源层（30）。 在有源层上形成电阻变化层（40）。 源电极（50）和漏电极（60）形成在电阻变化层上。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |