基本信息:
- 专利标题： 반도체 전력 장치와 캐스코드 전류 센서의 조합체 및 전류크기 감지 방법
- 专利标题（英）：Cascode current sensor for discrete power semiconductor devices
- 专利标题（中）：用于分离功率半导体器件的CASCODE电流传感器
- 申请号：KR1020107004772 申请日：2008-07-29
- 公开(公告)号：KR101089398B1 公开(公告)日：2011-12-07
- 发明人： 윌리엄스리차드케이.
- 申请人： 어드밴스드 아날로직 테크놀로지스 인코퍼레이티드
- 申请人地址： **** Scott Blvd., Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人： 어드밴스드 아날로직 테크놀로지스 인코퍼레이티드
- 当前专利权人： 어드밴스드 아날로직 테크놀로지스 인코퍼레이티드
- 当前专利权人地址： **** Scott Blvd., Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理人： 김명신; 김민철; 박장규
- 优先权： US11/890,948 2007-08-08
- 国际申请： PCT/US2008/009152 2008-07-29
- 国际公布： WO2009020535 2009-02-12
- 主分类号： G11C5/14
- IPC分类号： G11C5/14 ; H01L29/78 ; H01L29/80
Cas encodes the current sensor includes a main MOSFET and a sense MOSFET. The drain terminal of the main MOSFET is connected to the power device is that the current is monitored, the source and the gate terminal of the main MOSFET is connected to the source and gate terminals of each sensing MOSFET. The drain voltage of the main and detection MOSFET are equalized by using a variable current source and the negative feedback according to the embodiment. The gate width of the main MOSFET is generally greater than the gate width of the sense MOSFET. Using the size ratio of the gate width, the current in the main MOSFET is measured by sensing the magnitude of the current in the sense MOSFET. It is inserted into a relatively large power MOSFET circuits to minimize power loss.
公开/授权文献:
- KR1020100053604A 반도체 전력 장치와 캐스코드 전류 센서의 조합체 및 전류크기 감지 방법 公开/授权日：2010-05-20