基本信息:
- 专利标题： 저온 공정을 이용한 3Ｄ 적층셀 구조의 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법 및 3Ｄ 적층셀 구조의 플래쉬 메모리 소자
- 专利标题（英）：Flash memory devices of the manufacturing method of the flash memory device of the multilayer cell structure using a low temperature process 3d and 3d stacked cell structure
- 专利标题（中）：一种制造具有使用低温工艺的3D堆叠单元结构和具有3D堆叠单元结构的闪存器件的闪存器件的方法
- 申请号：KR1020100138283 申请日：2010-12-29
- 公开(公告)号：KR101029614B1 公开(公告)日：2011-04-15
- 发明人： 김현재 , 이근우 , 허건의 , 정태훈
- 申请人： 연세대학교 산학협력단
- 申请人地址： 서울특별시 서대문구 연세로 ** (신촌동, 연세대학교)
- 专利权人： 연세대학교 산학협력단
- 当前专利权人： 연세대학교 산학협력단
- 当前专利权人地址： 서울특별시 서대문구 연세로 ** (신촌동, 연세대학교)
- 代理人： 특허법인씨엔에스
- 主分类号： H01L21/8247
- IPC分类号： H01L21/8247 ; H01L27/115
摘要：
본 발명은 3D 적층셀 구조의 플래쉬 메모리셀 구현에 적합한 저온 공정의 플래쉬 메모리 소자 제조 방법 및 이에 의해 제조되는 플래쉬 메모리 소자를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따른 3D 적층셀 구조의 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법은, 기판 상에 제1 플로팅 게이트층 및 제1 제어 게이트층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 제어 게이트층 위에 상부 채널층, 제2 플로팅 게이트층 및 제2 제어 게이트층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 상부 채널층은 용액 기반의 반도체 산화물 물질을 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
摘要（中）：
본 발명의 일 측면에 따른 3D 적층셀 구조의 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법은, 기판 상에 제1 플로팅 게이트층 및 제1 제어 게이트층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 제어 게이트층 위에 상부 채널층, 제2 플로팅 게이트층 및 제2 제어 게이트층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 상부 채널층은 용액 기반의 반도체 산화물 물질을 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
本发明提供一种制造适于实现3D层叠单元结构的闪存单元的低温工艺的闪存器件的方法以及由此制造的闪存器件。
摘要（英）：
The present invention provides a method of manufacturing the flash memory device of the low-temperature process suitable for the flash memory cell implementation of a 3D stacked cell structure and therefore a flash memory device which is produced by.
Method for manufacturing a flash memory device of the 3D stacked cell structure according to an aspect of the invention, forming a first floating gate layer, and a first control gate layer on a substrate; And characterized in that the first comprising the step of: forming an upper channel layer, a second floating gate layer, and the second control gate layer on the control gate layer, the upper channel layer is coated to form a semiconductor oxide material of a solution-based do.
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8239 | ........存储器结构 |
| ------------------------H01L21/8246 | .........只读存储器结构（ROM） |
| --------------------------H01L21/8247 | ..........电可编程序的 |