基本信息:
- 专利标题： 반사된 방사를 이용하여 기판 프로세싱을 모니터링하는 방법
- 专利标题（英）：Method for monitoring the processing substrate by using the reflected radiation
- 申请号：KR1020037005580 申请日：2001-10-23
- 公开(公告)号：KR100927557B1 公开(公告)日：2009-11-23
- 发明人： 쑤이지펑 , 산홍칭 , 요한손닐스 , 노어바크쉬하미드 , 관위 , 프룸코리오란 , 위안제 , 시에창린
- 申请人： 어플라이드 머티어리얼즈 인코포레이티드
- 申请人地址： 미합중국 캘리포니아주 ***** 산타 클라라 피.오.박스 ***A
- 专利权人： 어플라이드 머티어리얼즈 인코포레이티드
- 当前专利权人： 어플라이드 머티어리얼즈 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： 미합중국 캘리포니아주 ***** 산타 클라라 피.오.박스 ***A
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： US09/695,577 2000-10-23; US09/803,080 2001-03-08
- 国际申请： PCT/US2001/049437 2001-10-23
- 国际公布： WO2002035586 2002-05-02
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
A substrate processing apparatus (27) has a chamber (35) capable of processing a substrate (20), a radiation source (58) to provide a radiation, a radiation polarizer adapted to polarize the radiation to one or more polarization angles that are selected in relation to an orientation of a feature being processed on the substrate, a radiation detector (54) to detect radiation reflected from the substrate during processing and generate a signal, and a controller (100) to process the signal.
公开/授权文献:
- KR1020030066644A 반사된 방사를 이용하여 기판 프로세싱을 모니터링하는 방법 公开/授权日：2003-08-09
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |