KR100870250B1 전자 디바이스를 형성하는 방법, 상기 방법에 의해 형성된 전자 디바이스, 상기 전자 디바이스를 포함하는 논리회로, 디스플레이 및 메모리, 그리고 상기 전자 디바이스 형성에 사용되는 미세절단 도구
有权
基本信息:
- 专利标题： 전자 디바이스를 형성하는 방법, 상기 방법에 의해 형성된 전자 디바이스, 상기 전자 디바이스를 포함하는 논리회로, 디스플레이 및 메모리, 그리고 상기 전자 디바이스 형성에 사용되는 미세절단 도구
- 专利标题（英）：A method for forming an electronic device, an electronic device formed thereby, a logic circuit, display and memory including the electronic device, and microcutting tool for use in forming the electronic device
- 专利标题（中）：形成电子设备的方法，其形成的电子设备，逻辑电路，包括电子设备的显示和存储器以及用于形成电子设备的微型工具
- 申请号：KR1020037004881 申请日：2001-10-04
- 公开(公告)号：KR100870250B1 公开(公告)日：2008-11-25
- 发明人： 시링가우스헤닝 , 프렌드리차드헨리 , 스투츠만나탈리 , 스미스폴
- 申请人： 캠브리지 유니버시티 테크니칼 서비스 리미티드 , 아이제노에시쉐 테크니쉐 호히쉘 쮸리히
- 申请人地址： CAVENDISH LABORATORY, MANDINGLEY ROAD, CAMBRIDGE CB* *HE (GB)
- 专利权人： 캠브리지 유니버시티 테크니칼 서비스 리미티드,아이제노에시쉐 테크니쉐 호히쉘 쮸리히
- 当前专利权人： 캠브리지 유니버시티 테크니칼 서비스 리미티드,아이제노에시쉐 테크니쉐 호히쉘 쮸리히
- 当前专利权人地址： CAVENDISH LABORATORY, MANDINGLEY ROAD, CAMBRIDGE CB* *HE (GB)
- 代理人： 박장원
- 优先权： GB00242941 2000-10-04
- 国际申请： PCT/GB2001/004421 2001-10-04
- 国际公布： WO2002029912 2002-04-11
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786
摘要：
A method for forming an organic or partly organic switching device, comprising: depositing layers of conducting, semiconducting and/or insulating layers by solution processing and direct printing; defining microgrooves in the multilayer structure by solid state embossing; and forming a switching device inside the microgroove.
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |