基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치의 범프 형성방법 및 그에 의해 형성된 범프
- 专利标题（英）：Method of forming bump of semiconductor device and bump formed by using the same
- 专利标题（中）：形成半导体器件保护的方法和使用它形成的BUMP
- 申请号：KR1020060098646 申请日：2006-10-10
- 公开(公告)号：KR100809706B1 公开(公告)日：2008-03-06
- 发明人： 장형선 , 권용환 , 강운병 , 이충선 , 권운성
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 리앤목특허법인
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60
摘要：
A method for forming a bump of a semiconductor device and a bump formed by using the same are provided to improve the thickness uniformity of a barrier coating layer and a bump coating layer on various pad electrodes by forming the barrier coating layer and the bump coating layer with an electrolytic plating method. A substrate(100) has a pad electrode(110). A seed layer(120) is formed on the substrate including the pad electrode. A mask layer having an opening is formed on the seed layer. The opening is overlapped with the pad electrode. A barrier coating layer(130) is formed in the opening by using an electrolytic plating method. A bump coating layer(150) is formed on the barrier coating layer by using an electrolytic plating method. The mask layer is removed to expose the seed layer. The exposed seed layer is etched by using the bump layer as a mask. Before the bump coating layer is formed, a bump adhesive layer(140) is formed on the barrier coating layer.
摘要（中）：
提供一种用于形成半导体器件的凸起的方法和使用该凸起形成的凸块，以通过形成阻挡涂层和凸块涂覆层来改善各种焊盘电极上的阻挡涂层和凸块涂覆层的厚度均匀性 用电解电镀法。 基板（100）具有焊盘电极（110）。 在包括焊盘电极的基板上形成种子层（120）。 在籽晶层上形成具有开口的掩模层。 开口与焊盘电极重叠。 通过使用电解电镀法在开口中形成阻挡涂层（130）。 通过使用电解电镀法在阻挡涂层上形成凸点涂层（150）。 去除掩模层以暴露种子层。 通过使用凸起层作为掩模来蚀刻暴露的种子层。 在形成凸点涂层之前，在阻挡涂层上形成凸块粘合剂层（140）。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |