基本信息:
- 专利标题： 핀 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：Fin field effect transistor and method for forming the same
- 专利标题（中）：通过电子邮件发送给朋友
- 申请号：KR1020060043169 申请日：2006-05-13
- 公开(公告)号：KR100739653B1 公开(公告)日：2007-07-13
- 发明人： 김근남 , 요시다마코토
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 박영우
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336
摘要：
A fin field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to reduce off current and gate induced drain leakage by extending an effective distance between a source and a drain. An active pin(118) having a round trench(114) on an upper surface. A gate insulation film is formed on a surface of the active fin. A gate electrode(122) is formed in an inner surface of the trench, and has a line width narrower than an upper width of the trench. Impurity regions are formed under the surface of the active fin at both sides of the gate electrode. The trench extends to edges of both sides of the active fin in a first direction perpendicular to a longitudinal direction of the active fin.
摘要（中）：
提供鳍式场效应晶体管及其制造方法，以通过延长源极和漏极之间的有效距离来减少截止电流和栅极感应漏极泄漏。 主动销（118）在上表面上具有圆形沟槽（114）。 栅极绝缘膜形成在有源鳍片的表面上。 栅电极（122）形成在沟槽的内表面中，并具有比沟槽的上宽度窄的线宽。 杂质区域在栅电极两侧的有源鳍片的表面下方形成。 沟槽在垂直于有源鳍的纵向的第一方向上延伸到有源鳍的两侧的边缘。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |