基本信息:
- 专利标题： 다공성의 저 유전율 조성물 및 이를 제조하고 사용하는방법
- 专利标题（英）：Porous low dielectric constant compositions and methods for making and using same
- 专利标题（中）：多孔低k组合物及其制备和使用方法
- 申请号：KR1020050090519 申请日：2005-09-28
- 公开(公告)号：KR100642618B1 公开(公告)日：2006-11-10
- 发明人： 루카스아론스콧 , 카웍키유진조지프쥬니어 , 오닐마크레오나르드 , 빈센트진루이스 , 브르티스레이몬드니콜라스
- 申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
- 申请人地址： 미합중국 펜실베니아주 *****-**** 알렌타운시 해밀턴 불라바아드 ****
- 专利权人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
- 当前专利权人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
- 当前专利权人地址： 미합중국 펜실베니아주 *****-**** 알렌타운시 해밀턴 불라바아드 ****
- 代理人： 강승옥; 김성기
- 优先权： US60/613,937 2004-09-28; US11/228,223 2005-09-19
- 主分类号： H01B3/30
- IPC分类号： H01B3/30 ; C09K3/18 ; H01B3/12
v O
w C
x H
y F
z 의 다공성 유기실리케이트 유리 (OSG) 필름은 메틸기로서 탄소 결합(Si-CH
3 )을 갖는 실리케이트 네트워크를 가지며 등가 구형 직경이 3 nm 미만이고 유전율이 2.7 미만인 공극을 함유한다[여기서, v+w+x+y+z는 100% 이며, v는 10 내지 35 원자%이며, w는 10 내지 65 원자%이며, x는 5 내지 30 원자%이며, y는 10 내지 50 원자%이며, z는 0 내지 15 원자%이다]. 예비 필름은 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체, 및 독립적 공극-형성 전구체로부터 화학적 증착법에 의해 증착된다. 포로젠 전구체는 예비 필름 내에 공극을 형성시킨 후 제거되어 다공성 필름을 제공한다. 조성물, 필름 형성 키트는 하나 이상의 Si-H 결합을 함유하는 유기실란 및/또는 유기실록산 화합물 및 알코올, 에테르, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트로, 1차 아민, 2차 아민, 및/또는 3차 아민 작용성 또는 조합물을 함유하는 탄화수소의 포로젠 전구체를 포함한다.
Si v O w C x H y F z of the porous organosilicate glass (OSG) film is a methyl group as a carbon bond (Si-CH 3) and having a silicate network to have an equivalent spherical diameter of 3 nm is less than a dielectric constant of 2.7 is less than the void to comprises wherein, v + w + x + y + z is 100%, v is from 10 to 35 and atomic%, w is from 10 to 65 and atomic%, x is 5 to 30 atomic%, y is from 10 to and 50 at.%, z is from 0 to 15 at%. Pre-film is organosilane and / or organosiloxane precursors, and independent pore is deposited by chemical vapor deposition from a precursor form. After the porogen precursor is removed to form voids in the pre-film to provide the porous film. The composition, film forming kits containing at least one Si-H bond the organosilane and / or organosiloxane compound and an alcohol, ether, carbonyl, carboxylic acid, ester, nitro, primary amine, secondary amine, and / or and a porogen precursor of the hydrocarbon group containing a tertiary amine functional or combinations thereof.
公开/授权文献:
- KR1020060051757A 다공성의 저 유전율 조성물 및 이를 제조하고 사용하는방법 公开/授权日：2006-05-19
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01B | 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择 |
| ------H01B3/00 | 按绝缘材料的特性区分的绝缘体或绝缘物体；绝缘或介电材料的性能的选择 |
| --------H01B3/02 | .主要由无机物组成的 |
| ----------H01B3/30 | ..塑料；树脂；蜡 |