基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 申请号：JP2020046587 申请日：2020-12-14
- 公开(公告)号：JPWO2021125140A1 公开(公告)日：2021-12-16
- 发明人： 加藤 由晴 , 安喰 徹 , 吉村 尚
- 申请人： 富士電機株式会社
- 申请人地址： 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号
- 专利权人： 富士電機株式会社
- 当前专利权人： 富士電機株式会社
- 当前专利权人地址： 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号
- 代理人： 龍華国際特許業務法人
- 优先权： JP2019227139 2019-12-17
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/861 ; H01L29/868 ; H01L29/06 ; H01L21/8234 ; H01L27/088 ; H01L27/06 ; H01L21/336 ; H01L29/739
摘要：
半導体基板と、半導体基板の裏面に設けられたドーピング濃度の複数のピークと、半導体基板の深さ方向において複数のピークの間に設けられ、半導体基板の基板濃度の2.5倍以上のドーピング濃度を有する平坦部と、を備え、複数のピークの少なくとも1つは、平坦部よりもおもて面側に設けられた第1ピークであって、第1ピークのドーピング濃度は、平坦部のドーピング濃度の2倍以下である、半導体装置を提供する。
摘要（英）：
Provided is a semiconductor device comprising: a semiconductor substrate; a plurality of peaks of a doping concentration provided on a back surface of the semiconductor substrate; and a flat part, with a doping concentration more than or equal to 2.5 times a substrate concentration of the semiconductor substrate, provided between the plurality of peaks in a depth direction of the semiconductor substrate, wherein at least one of the plurality of peaks is a first peak provided on a front surface side relative to the flat part, wherein a doping concentration of the first peak is less than or equal to twice the doping concentration of the flat part.
公开/授权文献:
- JP2021150064A 電気機器 公开/授权日：2021-09-27
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |