基本信息:
- 专利标题： 成膜装置
- 申请号：JP2018044922 申请日：2018-12-06
- 公开(公告)号：JPWO2019124098A1 公开(公告)日：2020-08-20
- 发明人： 近石 康弘 , 山根 茂樹
- 申请人： 株式会社村田製作所
- 申请人地址： 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号
- 专利权人： 株式会社村田製作所
- 当前专利权人： 株式会社村田製作所
- 当前专利权人地址： 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号
- 代理人： 特許業務法人 安富国際特許事務所
- 优先权： JP2017246512 2017-12-22
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; C23C16/458
摘要：
本発明の成膜装置は、原子層堆積法による成膜装置であって、内部を真空保持可能なチャンバーと、処理対象であるワークを複数段に並べて上記チャンバー内に保持するワークホルダーと、上記チャンバー内を加熱するためのヒーターと、を備え、上記チャンバーは、横型の筒状体からなり、かつ、水平方向に移動可能であり、さらに、上記チャンバーは、内部に上記ワークホルダーが設置される内チャンバーと、上記内チャンバーを収容する外チャンバーと、を備えることを特徴とする。
公开/授权文献:
- JP2019161423A 無線通信システム、送信局及び受信局 公开/授权日：2019-09-19
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |