基本信息:
- 专利标题： 有機半導体素子、有機半導体組成物、有機半導体膜の製造方法、有機半導体膜、並びに、これらに用いる化合物及びポリマー
- 申请号：JP2018011875 申请日：2018-03-23
- 公开(公告)号：JPWO2018181056A1 公开(公告)日：2019-11-07
- 发明人： 白兼 研史 , 福▲崎▼ 英治 , 谷 征夫 , 玉國 史子 , 宇佐美 由久 , 渡邉 哲也 , 岡本 敏宏 , 竹谷 純一
- 申请人： 富士フイルム株式会社 , 国立大学法人 東京大学
- 申请人地址： 東京都港区西麻布2丁目26番30号
- 专利权人： 富士フイルム株式会社,国立大学法人 東京大学
- 当前专利权人： 富士フイルム株式会社,国立大学法人 東京大学
- 当前专利权人地址： 東京都港区西麻布2丁目26番30号
- 代理人： 特許業務法人イイダアンドパートナーズ; 飯田 敏三; 赤羽 修一; 篠田 育男
- 优先权： JP2017071818 2017-03-31
- 主分类号： H01L51/05
- IPC分类号： H01L51/05 ; H01L29/786 ; H01L21/336 ; C07D495/22 ; C07D495/14 ; C08G61/12 ; H01L51/30
摘要：
有機半導体層が式(1)の化合物、式(2)の化合物及び/又は式(3)の化合物を含有し、又は下記式(8)〜(10)のいずれかの構造を有するポリマーを含有する有機半導体素子、この素子における有機半導体層に用いる有機半導体膜及びその製造方法、上記有機半導体膜に用いる化合物、ポリマー及び組成物。 X 1 は窒素原子又はCR a を示し、環A及び環Bは特定の含窒素環を示す。 Y 1 は酸素原子、硫黄原子、CR b 2 又はNR c を示す。 V 1 はNR d 、酸素原子、硫黄原子又はセレン原子を示す。 R a 〜R d は水素原子又は置換基を示す。 R 1 は特定の置換基を示し、pは0〜2の整数である。 nは1又は2である。 *は結合部位を示す。
公开/授权文献:
- JP2019127802A 地下駐車場、及びその施工方法 公开/授权日：2019-08-01