基本信息:
- 专利标题： エピタキシャル成長用配向アルミナ基板
- 专利标题（英）：JPWO2017057271A1 - Orientation alumina substrate for epitaxial growth
- 申请号：JP2016078265 申请日：2016-09-26
- 公开(公告)号：JPWO2017057271A1 公开(公告)日：2018-07-19
- 发明人： 渡邊 守道 , 佐藤 圭 , 松島 潔 , 七瀧 努
- 申请人： 日本碍子株式会社
- 申请人地址： 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号
- 专利权人： 日本碍子株式会社
- 当前专利权人： 日本碍子株式会社
- 当前专利权人地址： 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号
- 代理人： 特許業務法人アイテック国際特許事務所
- 优先权： JP2015193943 2015-09-30 JP2015193944 2015-09-30 JP2015224164 2015-11-16 JP2016011190 2016-01-25 JP2016034005 2016-02-25 JP2016066431 2016-03-29 JP2016139508 2016-07-14
- 主分类号： C30B29/20
- IPC分类号： C30B29/20 ; C04B35/111
摘要：
本発明の一実施形態であるエピタキシャル成長用配向アルミナ基板は、表面を構成する結晶粒子のチルト角が0.1°以上1.0°未満であり、平均焼結粒径が10μm以上のものである。ここで、チルト角とは、X線ロッキングカーブ半値幅(XRC・FWHM)を指す。平均焼結粒径とは、配向アルミナ基板の板面にサーマルエッチングを行った後、走査電子顕微鏡にて撮影した画像を用いて測定した値である。このエピタキシャル成長用配向アルミナ基板を利用して作製した半導体デバイスは、従来に比べて特性が向上する。
摘要（英）：
Orienting alumina substrate for epitaxial growth according to an embodiment of the present invention is the tilt angle is less than 0.1 ° over 1.0 ° of the crystal particles constituting the surface, mean sintered particle size of more than 10μm . Here, the tilt angle refers to the X-ray rocking curve (XRC · FWHM). A mean sintered particle size, after thermal etching the plate surface of the orientation alumina substrate is a value measured using an image taken by a scanning electron microscope. Semiconductor devices fabricated using the epitaxial growth orientation alumina substrate, characteristics are improved as compared with the prior art.
公开/授权文献:
- JP2017187720A 現像剤容器、現像装置、プロセスカートリッジ及び画像形成装置 公开/授权日：2017-10-12