基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体设备
- 申请号：JP2014542125 申请日：2013-10-11
- 公开(公告)号：JPWO2014061619A1 公开(公告)日：2016-09-05
- 发明人： 勇一 小野澤 , 勇一 小野澤 , 高橋 英紀 , 英紀 高橋 , 吉村 尚 , 尚 吉村
- 申请人： 富士電機株式会社
- 申请人地址： 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号
- 专利权人： 富士電機株式会社
- 当前专利权人： 富士電機株式会社
- 当前专利权人地址： 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号
- 代理人： 酒井 昭徳
- 优先权： JP2012229971 2012-10-17
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/423 ; H01L29/49
Inside the first insulating film, which is provided along one sidewall of the first trench (21), a first gate electrode provided inside the second trench (40) (22a), the second insulating film inside of which is provided along the other sidewall of the first trench (21), a shield electrode provided on the inside of the third trench (50) (22 b), the second trench (40) is extended by a portion is provided on the first gate electrode (22a), and a gate runner which is connected to the first gate electrode (22a), by a third trench (50) is extended, a part shield provided on the electrodes (22 b), the emitter polysilicon layer connected with the shield electrode (22 b) and (25a), a semiconductor device characterized by comprising, in a slight increase in number of process steps, increased cost, while suppressing a decrease in the yield rate, it improved the turn-on characteristics.
公开/授权文献:
- JP5867617B2 半導体装置 公开/授权日：2016-02-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |