基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 申请号：JP2009540985 申请日：2007-11-12
- 公开(公告)号：JPWO2009063542A1 公开(公告)日：2011-03-24
- 发明人： 大樹 上村 , 大樹 上村 , 義春 戸坂 , 義春 戸坂
- 申请人： 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
- 专利权人： 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人： 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
- 优先权： JP2007071931 2007-11-12
- 主分类号： H03K3/037
- IPC分类号： H03K3/037 ; H03K3/356
摘要：
複数のデータ保持ノードを有するラッチ回路(103,104)と、前記複数のデータ保持ノードに含まれる第1のデータ保持ノード(A)に接続された第1の容量素子(C)と、前記第1のデータ保持ノード(A)と前記第1の容量素子(C)との間に設けられた第1のスイッチ素子(SW2)とを有することを特徴とする半導体装置が提供される。
摘要（英）：
A latch circuit (103, 104) having a plurality of data holding nodes, the first of the first capacitor element connected to the data holding node (A) included in the plurality of data holding nodes (C), said first wherein a has a first switch element (SW2) and provided between said first data holding node (a) and a first capacitive element (C) is provided.
公开/授权文献:
- JP5182291B2 Semiconductor device 公开/授权日：2013-04-17