基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 申请号：JP2019205138 申请日：2019-11-13
- 公开(公告)号：JP6987107B2 公开(公告)日：2021-12-22
- 发明人： 田中 哲弘 , 竹内 敏彦 , 山根 靖正
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2013196301 2013-09-23
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/8234 ; H01L27/088 ; H01L27/06 ; H01L21/8242 ; H01L27/108 ; H01L29/786
公开/授权文献:
- JP2020025133A 半導体装置 公开/授权日：2020-02-13
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |