专利号JP2017175425 | シリコン酸化膜を形成する方法および装置

专利标题：シリコン酸化膜を形成する方法および装置
申请号：JP2017175425 申请日：2017-09-13
公开(公告)号：JP6929173B2 公开(公告)日：2021-09-01
发明人：高京碩 , 島裕巳 , 木鎌英司 , 菱屋晋吾
申请人：東京エレクトロン株式会社
申请人地址：東京都港区赤坂五丁目3番1号
专利权人：東京エレクトロン株式会社
当前专利权人：東京エレクトロン株式会社
当前专利权人地址：東京都港区赤坂五丁目3番1号
代理人：高山宏志
主分类号： H01L21/316
IPC分类号： H01L21/316 ; H01L27/11582 ; H01L21/336 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; H01L21/318

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
------------------H01L21/314	......无机层
--------------------H01L21/316	.......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层

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