基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 申请号：JP2019146058 申请日：2019-08-08
- 公开(公告)号：JP6864720B2 公开(公告)日：2021-04-28
- 发明人： 山崎 舜平
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2012136438 2012-06-15 JP2012141373 2012-06-22
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L29/417 ; H01L21/8242 ; H01L27/108 ; H01L21/8239 ; H01L27/105 ; H01L27/115 ; H01L27/1156 ; H01L21/336 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; H01L29/786
公开/授权文献:
- JP2019220699A 半導体装置 公开/授权日：2019-12-26
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |