基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 申请号：JP2016027220 申请日：2016-02-16
- 公开(公告)号：JP6624445B2 公开(公告)日：2019-12-25
- 发明人： 菅沼 克昭 , 長尾 至成 , 杉岡 卓央 , 小川 賢 , 藤林 輝久
- 申请人： 国立大学法人大阪大学 , 株式会社日本触媒
- 申请人地址： 大阪府吹田市山田丘1番1号
- 专利权人： 国立大学法人大阪大学,株式会社日本触媒
- 当前专利权人： 国立大学法人大阪大学,株式会社日本触媒
- 当前专利权人地址： 大阪府吹田市山田丘1番1号
- 代理人： 特許業務法人 安富国際特許事務所
- 优先权： JP2015067438 2015-03-27
- 主分类号： C08L79/04
- IPC分类号： C08L79/04 ; C08K3/08 ; C08K5/54 ; H01L21/56 ; H01L21/52
公开/授权文献:
- JP2016189455A 半導体装置 公开/授权日：2016-11-04