专利号JP2016237723 | 半導体装置

专利标题：半導体装置
申请号：JP2016237723 申请日：2016-12-07
公开(公告)号：JP6614116B2 公开(公告)日：2019-12-04
发明人：樽見浩幸 , 小山和博 , 陰泳信 , 星真一
申请人：株式会社デンソー
申请人地址：愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地
专利权人：株式会社デンソー
当前专利权人：株式会社デンソー
当前专利权人地址：愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地
代理人：特許業務法人ゆうあい特許事務所
优先权： JP2016103352 2016-05-24
主分类号： H01L21/338
IPC分类号： H01L21/338 ; H01L29/808 ; H01L29/812 ; H01L29/778 ; H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L21/337

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/335	.....场效应晶体管
------------------H01L21/338	......带有肖特基栅的

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