基本信息:
- 专利标题： セリア被覆シリカ研磨剤を使用したバリア化学機械平坦化スラリー
- 申请号：JP2016112679 申请日：2016-06-06
- 公开(公告)号：JP6480381B2 公开(公告)日：2019-03-06
- 发明人： シャオボー シー , ジェイムズ アレン シュルーター , マーク レオナルド オニール , ドンヤネシュ チャンドラカント タンボリ
- 申请人： バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー
- 申请人地址： アメリカ合衆国,アリゾナ 85284,テンピ,サウス リバー パークウェイ 8555
- 专利权人： バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー
- 当前专利权人： バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー
- 当前专利权人地址： アメリカ合衆国,アリゾナ 85284,テンピ,サウス リバー パークウェイ 8555
- 代理人： 青木 篤; 三橋 真二; 木村 健治; 胡田 尚則
- 优先权： US62/171,360 2015-06-05 US15/166,605 2016-05-27
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304 ; B24B37/00 ; C09K3/14
公开/授权文献:
- JP2017071753A セリア被覆シリカ研磨剤を使用したバリア化学機械平坦化スラリー 公开/授权日：2017-04-13
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |