基本信息:
- 专利标题： 非化学増幅型レジスト組成物、非化学増幅型レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
- 专利标题（英）：JP6433503B2 - Non-chemically amplified resist composition, a non-chemically amplified resist film pattern forming method, and a method for manufacturing an electronic device
- 申请号：JP2016546410 申请日：2015-08-19
- 公开(公告)号：JP6433503B2 公开(公告)日：2018-12-05
- 发明人： 平野 修史
- 申请人： 富士フイルム株式会社
- 申请人地址： 東京都港区西麻布2丁目26番30号
- 专利权人： 富士フイルム株式会社
- 当前专利权人： 富士フイルム株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都港区西麻布2丁目26番30号
- 代理人： 渡辺 望稔; 三和 晴子; 伊東 秀明; 三橋 史生
- 优先权： JP2014178095 2014-09-02
- 国际申请： JP2015073268 JP 2015-08-19
- 国际公布： WO2016035555 JP 2016-03-10
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20 ; C08F220/30 ; G03F7/039
公开/授权文献:
- JPWO2016035555A1 非化学増幅型レジスト組成物、非化学増幅型レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 公开/授权日：2017-05-25