基本信息:
- 专利标题： 凹凸状窒化ガリウム層を有するアルミニウムガリウムインジウムリン系発光ダイオードの製造方法
- 专利标题（英）：JP6425731B2 - Manufacturing method of an aluminum gallium indium phosphide-based light emitting diode having an uneven gallium nitride layer
- 申请号：JP2016549418 申请日：2014-01-29
- 公开(公告)号：JP6425731B2 公开(公告)日：2018-11-21
- 发明人： リー,ヒュン ジョー , キム,ヤンジン , チャン,インキュ
- 申请人： エイユーケー コープ.
- 申请人地址： 大韓民国、チョクラブク−ド 570−977、イクサン−シ、ヤクチョン−ロ、シヌン−ドン 133
- 专利权人： エイユーケー コープ.
- 当前专利权人： エイユーケー コープ.
- 当前专利权人地址： 大韓民国、チョクラブク−ド 570−977、イクサン−シ、ヤクチョン−ロ、シヌン−ドン 133
- 代理人： 西浦 ▲嗣▼晴; ▲高▼見 良貴; 出山 匡
- 国际申请： KR2014000848 JP 2014-01-29
- 国际公布： WO2015115685 JP 2015-08-06
- 主分类号： H01L33/30
- IPC分类号： H01L33/30 ; H01L33/22
公开/授权文献:
- JP2017504975A 凹凸状窒化ガリウム層を有するアルミニウムガリウムインジウムリン系発光ダイオード、及びその製造方法 公开/授权日：2017-02-09