基本信息:

• 专利标题： 半導体記憶装置
• 专利标题（英）：JP6381460B2 - A semiconductor memory device
• 申请号：JP2015045974 申请日：2015-03-09
• 公开(公告)号：JP6381460B2 公开(公告)日：2018-08-29
• 发明人： 前田 高志
• 申请人： 東芝メモリ株式会社
• 申请人地址： 東京都港区芝浦一丁目1番1号
• 专利权人： 東芝メモリ株式会社
• 当前专利权人： 東芝メモリ株式会社
• 当前专利权人地址： 東京都港区芝浦一丁目1番1号
• 代理人： 蔵田 昌俊; 野河 信久; 峰 隆司; 河野 直樹; 鵜飼 健
• 主分类号： G11C16/10
• IPC分类号： G11C16/10 ; H01L21/336 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; G11C16/04

公开/授权文献:

• JP2016167325A  半導体記憶装置 公开/授权日：2016-09-15

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