基本信息:
- 专利标题: 半導体装置
- 专利标题(英):JP6317629B2 - Semiconductor device
- 申请号:JP2014114222 申请日:2014-06-02
- 公开(公告)号:JP6317629B2 公开(公告)日:2018-04-25
- 发明人: 小野塚 豊 , 山田 浩 , 真名垣 暢人
- 申请人: 株式会社東芝
- 申请人地址: 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- 专利权人: 株式会社東芝
- 当前专利权人: 株式会社東芝
- 当前专利权人地址: 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- 代理人: 日向寺 雅彦
- 主分类号: H01L25/18
- IPC分类号: H01L25/18 ; H01L23/12 ; H01L25/04
公开/授权文献:
- JP2015228454A 半導体装置 公开/授权日:2015-12-17
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
--------H01L25/18 | .包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件 |