基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：JP6313393B2 - Semiconductor device
- 申请号：JP2016199897 申请日：2016-10-11
- 公开(公告)号：JP6313393B2 公开(公告)日：2018-04-18
- 发明人： 黒川 義元
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2010007249 2010-01-15
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H04N5/374 ; H04N5/378 ; H03M1/10 ; H03M1/12 ; H03M1/60 ; H04N5/357
公开/授权文献:
- JP2017063433A 半導体装置 公开/授权日：2017-03-30
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |