基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：JP6263966B2 - Semiconductor device
- 申请号：JP2013230902 申请日：2013-11-07
- 公开(公告)号：JP6263966B2 公开(公告)日：2018-01-24
- 发明人： 掛布 光泰
- 申请人： 富士電機株式会社
- 申请人地址： 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号
- 专利权人： 富士電機株式会社
- 当前专利权人： 富士電機株式会社
- 当前专利权人地址： 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号
- 代理人： 阪本 朗
- 优先权： JP2012271031 2012-12-12
- 主分类号： H01L29/868
- IPC分类号： H01L29/868 ; H01L21/329 ; H01L29/06 ; H01L21/322 ; H01L29/861
公开/授权文献:
- JP2014135476A Semiconductor device 公开/授权日：2014-07-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/868 | ....PIN二极管 |