基本信息:
- 专利标题： 半導体装置およびその製造方法
- 专利标题（英）：JP6249829B2 - Semiconductor device and manufacturing method thereof
- 申请号：JP2014045924 申请日：2014-03-10
- 公开(公告)号：JP6249829B2 公开(公告)日：2017-12-20
- 发明人： 中原 賢太 , 吉田 博
- 申请人： 三菱電機株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
- 专利权人： 三菱電機株式会社
- 当前专利权人： 三菱電機株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
- 代理人： 吉竹 英俊; 有田 貴弘
- 主分类号： H01L23/29
- IPC分类号： H01L23/29 ; H01L23/36
公开/授权文献:
- JP2015170786A 半導体装置およびその製造方法 公开/授权日：2015-09-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/02 | .容器；封接 |
| ----------H01L23/29 | ..按材料特点进行区分的 |