基本信息:
- 专利标题： 熱伝導体、熱伝導体を備える半導体装置
- 专利标题（英）：Thermal conductor, a semiconductor device comprising a heat conductor
- 申请号：JP2015145787 申请日：2015-07-23
- 公开(公告)号：JP6191660B2 公开(公告)日：2017-09-06
- 发明人： 船橋 博文 , 尾崎 貴志 , 青柳 勲 , 明石 照久 , 大村 義輝 , 島岡 敬一 , 野々村 裕 , 藤塚 徳夫 , 藤吉 基弘 , 畑 良幸 , 村田 香苗 , 成田 哲生 , 冨田 一義
- 申请人： 株式会社豊田中央研究所
- 申请人地址： 愛知県長久手市横道41番地の1
- 专利权人： 株式会社豊田中央研究所
- 当前专利权人： 株式会社豊田中央研究所
- 当前专利权人地址： 愛知県長久手市横道41番地の1
- 代理人： 特許業務法人快友国際特許事務所
- 优先权： JP2014159825 2014-08-05
- 主分类号： H01L21/338
- IPC分类号： H01L21/338 ; H01L29/812 ; H01L29/778 ; H01L29/808 ; H01L21/337 ; H01L23/427
公开/授权文献:
- JP2016039370A 熱伝導体、熱伝導体を備える半導体装置とその製造方法 公开/授权日：2016-03-22
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/338 | ......带有肖特基栅的 |