基本信息:

• 专利标题： 半導体装置
• 专利标题（英）：Semiconductor device
• 申请号：JP2012267653 申请日：2012-12-06
• 公开(公告)号：JP6150375B2 公开(公告)日：2017-06-21
• 发明人： 岡田 誠 , 仮屋崎 修一 , 白井 航 , 鈴原 将文 , 瀬羅 直子
• 申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 申请人地址： 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
• 专利权人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 当前专利权人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 当前专利权人地址： 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
• 代理人： 工藤 実
• 主分类号： H01L25/18
• IPC分类号： H01L25/18 ; H01L25/04

公开/授权文献:

• JP2014116371A  Semiconductor device 公开/授权日：2014-06-26

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