基本信息:
- 专利标题: 半導体装置
- 专利标题(英):Semiconductor device
- 申请号:JP2013115580 申请日:2013-05-31
- 公开(公告)号:JP6125332B2 公开(公告)日:2017-05-10
- 发明人: 大谷内 賢治 , 和田 環 , 森永 優一
- 申请人: ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 申请人地址: 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
- 专利权人: ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人: ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人地址: 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
- 代理人: 筒井 大和; 菅田 篤志; 筒井 章子; 坂次 哲也
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; G06K19/077 ; H01L23/12
公开/授权文献:
- JP2014236056A 半導体装置 公开/授权日:2014-12-15
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
--------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接,用于工作时向或由器件传导电流 |