基本信息:
- 专利标题： 有機ルテニウム化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
- 专利标题（英）：Chemical vapor deposition method using a chemical vapor deposition for the raw materials and the chemical vapor deposition for the raw material made of an organic ruthenium compound
- 专利标题（中）：使用化学气相沉积原料和化学沉积材料的化学气相沉积组成的有机钌化合物的
- 申请号：JP2015180101 申请日：2015-09-11
- 公开(公告)号：JP6043851B1 公开(公告)日：2016-12-14
- 发明人： 原田 了輔 , 重冨 利幸 , 石坂 翼 , 青山 達貴
- 申请人： 田中貴金属工業株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号
- 专利权人： 田中貴金属工業株式会社
- 当前专利权人： 田中貴金属工業株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区丸の内2丁目7番3号
- 代理人： 特許業務法人田中・岡崎アンドアソシエイツ
- 主分类号： H01L21/285
- IPC分类号： H01L21/285 ; C07C251/08 ; C07F15/00 ; C23C16/18
[Problem] in the chemical vapor deposition for the raw material for the ruthenium-ruthenium compound thin film production, can cope with the low-temperature deposition, the provision of manufacturing can be the raw material ruthenium thin film without the use of oxygen gas.
The A chemical vapor deposition in a chemical vapor deposition material for the production of ruthenium thin film or a ruthenium compound thin film, represented by the following formula, two Jiazajien ligands ruthenium, and the two alkyl ligands coordinating chemical vapor deposition material made of an organic ruthenium compound position.
(R 1~8 is a hydrocarbon group of H or
C 1-4; R 1~4
or, each of
R 5~8 is good also to form a cyclic structure with two or
more; R 9 and
R 10 C
1-3 alkyl group)
.FIELD 1
公开/授权文献:
- JP2017053019A 有機ルテニウム化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法 公开/授权日：2017-03-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/283 | .....用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积 |
| ------------------H01L21/285 | ......气体或蒸气的沉积，例如冷凝 |