基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 申请号：JP2015075561 申请日：2015-04-02
- 公开(公告)号：JP6025902B2 公开(公告)日：2016-11-16
- 发明人： 黒川 義元
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2010007249 2010-01-15
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/8234 ; H01L27/06 ; H01L27/088 ; H01L31/10 ; H04N5/369 ; H04N5/357 ; H01L27/146
公开/授权文献:
- JP2015149497A 半導体装置 公开/授权日：2015-08-20
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |