基本信息:
- 专利标题: 半導体素子のマーキング方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
- 专利标题(英):Marking method of a semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device
- 专利标题(中):的半导体装置的标识打印方法,一种制造半导体器件的方法,以及半导体装置
- 申请号:JP2012130036 申请日:2012-06-07
- 公开(公告)号:JP6000668B2 公开(公告)日:2016-10-05
- 发明人: 高本 尚英 , 志賀 豪士
- 申请人: 日東電工株式会社
- 申请人地址: 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号
- 专利权人: 日東電工株式会社
- 当前专利权人: 日東電工株式会社
- 当前专利权人地址: 大阪府茨木市下穂積1丁目1番2号
- 代理人: 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; H01L23/00
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
--------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接,用于工作时向或由器件传导电流 |