基本信息:
- 专利标题： n型ゲルマニウム上への低抵抗コンタクトの作製方法
- 专利标题（英）：A method for manufacturing a low-resistance contact to the n-type germanium
- 专利标题（中）：一种制造低电阻接触于n型锗方法
- 申请号：JP2011265947 申请日：2011-12-05
- 公开(公告)号：JP5926045B2 公开(公告)日：2016-05-25
- 发明人： クーン・マルテンス , ロヘル・ロー , ジョージ・キットル
- 申请人： アイメック , IMEC , カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァン , Katholieke Universiteit Leuven
- 申请人地址： ベルギー、ベー−3001ルーヴァン、カペルドリーフ75番
- 专利权人： アイメック,IMEC,カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァン,Katholieke Universiteit Leuven
- 当前专利权人： アイメック,IMEC,カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァン,Katholieke Universiteit Leuven
- 当前专利权人地址： ベルギー、ベー−3001ルーヴァン、カペルドリーフ75番
- 代理人： 山田 卓二; 田中 光雄; 竹内 三喜夫; 中野 晴夫
- 优先权： US61/420,081 2010-12-06
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |