基本信息:
- 专利标题： 半導体装置およびその製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and a method of manufacturing the same
- 申请号：JP2014504744 申请日：2013-02-13
- 公开(公告)号：JP5920454B2 公开(公告)日：2016-05-18
- 发明人： 梨子田 典弘
- 申请人： 富士電機株式会社
- 申请人地址： 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号
- 专利权人： 富士電機株式会社
- 当前专利权人： 富士電機株式会社
- 当前专利权人地址： 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号
- 代理人： 本多 一郎
- 优先权： JP2012058727 2012-03-15
- 国际申请： JP2013053391 JP 2013-02-13
- 国际公布： WO2013136896 JP 2013-09-19
- 主分类号： H01L23/50
- IPC分类号： H01L23/50 ; H01L21/60
公开/授权文献:
- JPWO2013136896A1 半導体装置およびその製造方法 公开/授权日：2015-08-03
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/50 | ..用于集成电路器件的 |