基本信息:
- 专利标题： 半導体装置用ボンディングワイヤ
- 专利标题（英）：Bonding wire for semiconductor device
- 专利标题（中）：用于半导体器件的接合线
- 申请号：JP2015532223 申请日：2015-06-05
- 公开(公告)号：JP5912005B1 公开(公告)日：2016-04-27
- 发明人： 小田 大造 , 江藤 基稀 , 山田 隆 , 榛原 照男 , 大石 良 , 宇野 智裕 , 小山田 哲哉
- 申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 , 新日鉄住金マテリアルズ株式会社
- 申请人地址： 埼玉県入間市大字狭山ヶ原158番地1
- 专利权人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社,新日鉄住金マテリアルズ株式会社
- 当前专利权人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社,新日鉄住金マテリアルズ株式会社
- 当前专利权人地址： 埼玉県入間市大字狭山ヶ原158番地1
- 代理人： 酒井 宏明
- 优先权： JP2015036342 2015-02-26
- 国际申请： JP2015066385 JP 2015-06-05
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60
In Cu bonding wire having a Pd coating layer on the surface improves the bonding reliability of the ball joint in a high temperature and high humidity environment, to provide a suitable bonding wire for automotive device. A Cu alloy core material, wherein the bonding wire for a semiconductor device and a Pd coating layer formed on the surface of the Cu alloy core material, bonding wires comprises the In 0.011 to 1.2% by weight, of the Pd coating layer thickness is 0.015~0.150μm. Thus, it is possible to improve the bonding lifetime of the ball joint in a high-temperature high-humidity environment, to improve the bonding reliability. Cu alloy core material is Pt, Pd, Rh, and each one or more of Ni containing 0.05 to 1.2% by weight, it is possible to improve the ball joint reliability at 175 ℃ or more of the high-temperature environment. In addition, further to form the Au skin layer on the surface of the Pd coating layer wedge bonding property is improved.
公开/授权文献:
- JPWO2016135993A1 半導体装置用ボンディングワイヤ 公开/授权日：2017-04-27
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |