基本信息:
- 专利标题： 化合物半導体装置及びその製造方法
- 专利标题（英）：Compound semiconductor device and a method of manufacturing the same
- 申请号：JP2011039921 申请日：2011-02-25
- 公开(公告)号：JP5866773B2 公开(公告)日：2016-02-17
- 发明人： 今田 忠紘 , 吉川 俊英
- 申请人： 富士通株式会社
- 申请人地址： 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号
- 专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人地址： 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号
- 代理人： 國分 孝悦
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/812 ; H01L21/337 ; H01L29/808 ; H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L29/786 ; H01L29/41 ; H01L29/47 ; H01L29/872 ; H01L29/417 ; H01L21/28 ; H01L29/06 ; H01L21/338
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/778 | .....带有二维载流子气沟道的，如HEMT |