基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 申请号：JP2012104230 申请日：2012-04-27
- 公开(公告)号：JP5818099B2 公开(公告)日：2015-11-18
- 发明人： 岩室 憲幸 , 星 保幸 , 原田 祐一 , 原田 信介
- 申请人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 富士電機株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区霞が関1−3−1
- 专利权人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所,富士電機株式会社
- 当前专利权人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所,富士電機株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区霞が関1−3−1
- 代理人： 酒井 昭徳
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/12 ; H01L21/336 ; H01L29/06
公开/授权文献:
- JP2013232562A Semiconductor device 公开/授权日：2013-11-14
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |