基本信息:
- 专利标题： 半導体装置、および半導体装置の製造方法
- 专利标题（英）：A method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device
- 专利标题（中）：制造半导体器件的方法，以及半导体装置
- 申请号：JP2012520452 申请日：2011-06-14
- 公开(公告)号：JP5794231B2 公开(公告)日：2015-10-14
- 发明人： 多田 宗弘 , 宮村 信 , 波田 博光
- 申请人： 日本電気株式会社
- 申请人地址： 東京都港区芝五丁目7番1号
- 专利权人： 日本電気株式会社
- 当前专利权人： 日本電気株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都港区芝五丁目7番1号
- 代理人： 宮崎 昭夫; 緒方 雅昭
- 优先权： JP2010137369 2010-06-16
- 国际申请： JP2011063567 JP 2011-06-14
- 国际公布： WO2011158821 JP 2011-12-22
- 主分类号： H01L27/105
- IPC分类号： H01L27/105 ; H01L45/00 ; H01L49/00 ; H01L21/82
公开/授权文献:
- JPWO2011158821A1 半導体装置、および半導体装置の製造方法 公开/授权日：2013-08-19
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |