基本信息:
- 专利标题： Cu配線の形成方法およびCu膜の成膜方法、ならびに成膜システム
- 专利标题（英）：Film forming method of forming method and the Cu film of Cu wiring, as well as film-forming system,
- 专利标题（中）：形成所述成形方法和Cu布线和沉积系统的Cu膜的方法，
- 申请号：JP2011251520 申请日：2011-11-17
- 公开(公告)号：JP5767570B2 公开(公告)日：2015-08-19
- 发明人： 石坂 忠大 , 五味 淳 , 加藤 多佳良 , 横山 敦 , 佐久間 隆 , 安室 千晃 , 戸島 宏至 , 波多野 達夫 , 水澤 寧 , 原 正道 , 鈴木 健二
- 申请人： 東京エレクトロン株式会社
- 申请人地址： 東京都港区赤坂五丁目3番1号
- 专利权人： 東京エレクトロン株式会社
- 当前专利权人： 東京エレクトロン株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都港区赤坂五丁目3番1号
- 代理人： 高山 宏志
- 优先权： JP2011015663 2011-01-27
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/532 ; H01L21/285 ; H01L21/28 ; C23C14/14 ; C23C16/16 ; H01L21/3205
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |