基本信息:
- 专利标题： 半導体装置の製造方法
- 专利标题（英）：A method of manufacturing a semiconductor device
- 申请号：JP2014502163 申请日：2013-02-21
- 公开(公告)号：JP5733466B2 公开(公告)日：2015-06-10
- 发明人： 宮本 健二 , 中川 成幸 , 上原 義貴 , 山本 千花 , 南部 俊和 , 井上 雅之
- 申请人： 日産自動車株式会社
- 申请人地址： 神奈川県横浜市神奈川区宝町2番地
- 专利权人： 日産自動車株式会社
- 当前专利权人： 日産自動車株式会社
- 当前专利权人地址： 神奈川県横浜市神奈川区宝町2番地
- 代理人： 的場 基憲
- 优先权： JP2012041354 2012-02-28
- 国际申请： JP2013054323 JP 2013-02-21
- 国际公布： WO2013129229 JP 2013-09-06
- 主分类号： H01L21/52
- IPC分类号： H01L21/52
公开/授权文献:
- JPWO2013129229A1 半導体装置の製造方法 公开/授权日：2015-07-30
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/52 | ....半导体在容器中的安装 |