基本信息:
- 专利标题: ゲルマニウム・オーバーレイヤ・プリコンタクト・メタライゼーションを利用したコンタクト抵抗低減
- 专利标题(英):Contact resistance reduction using a germanium-over layer pre-contact metallization
- 专利标题(中):使用锗 - 在层接触预金属化接触电阻降低
- 申请号:JP2013546134 申请日:2011-09-30
- 公开(公告)号:JP5714721B2 公开(公告)日:2015-05-07
- 发明人: グラス,グレン,エー. , マーシー,アナンド,エス. , ガーニ,タヒル
- 申请人: インテル コーポレイション
- 申请人地址: アメリカ合衆国 95054 カリフォルニア州 サンタ クララ ミッション カレッジ ブールバード 2200
- 专利权人: インテル コーポレイション
- 当前专利权人: インテル コーポレイション
- 当前专利权人地址: アメリカ合衆国 95054 カリフォルニア州 サンタ クララ ミッション カレッジ ブールバード 2200
- 代理人: 伊東 忠重; 伊東 忠彦; 大貫 進介
- 优先权: US12/975,278 2010-12-21
- 国际申请: US2011054198 JP 2011-09-30
- 国际公布: WO2012087403 JP 2012-06-28
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L29/417 ; H01L21/336
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换,并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒,例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器;半导体本体或其电极的零部件 |
--------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
------------H01L29/70 | ...双极器件 |
--------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |