基本信息:

• 专利标题： 平坦な半極性窒化ガリウムの成長技術
• 专利标题（英）：Flat growth technology of semi-polar gallium nitride
• 专利标题（中）：平坦生长技术半极性的氮化镓
• 申请号：JP2008500965 申请日：2006-03-10
• 公开(公告)号：JP5706601B2 公开(公告)日：2015-04-22
• 发明人： トロイ・ジェー・ベーカー , ベンジャミン・エー・ハスケル , ポール・ティー・フィニ , スティーブン・ピー・デンバース , ジェームス・エス・スペック , シュウジ・ナカムラ
• 申请人： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ,  独立行政法人科学技術振興機構
• 申请人地址： アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94607 オークランド フランクリン ストリート 1111 トゥエルフス フロア
• 专利权人： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア,独立行政法人科学技術振興機構
• 当前专利权人： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア,独立行政法人科学技術振興機構
• 当前专利权人地址： アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94607 オークランド フランクリン ストリート 1111 トゥエルフス フロア
• 代理人： 清水 守
• 优先权： US60/660,283 2005-03-10
• 国际申请： US2006008595 JP 2006-03-10
• 国际公布： WO2006099138 JP 2006-09-21
• 主分类号： H01L33/32
• IPC分类号： H01L33/32 ; H01L21/205

公开/授权文献:

• JP2008533723A  Flat growth technology of semi-polar gallium nitride 公开/授权日：2008-08-21

信息查询: