基本信息:
- 专利标题： Method and apparatus for manufacturing a silicon thin rod
- 申请号：JP2011273623 申请日：2011-12-14
- 公开(公告)号：JP5485250B2 公开(公告)日：2014-05-07
- 发明人： リヒテンエッガー ブルーノ , シャンツ マテウス
- 申请人： ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトWacker Chemie AG
- 专利权人： ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトWacker Chemie AG
- 当前专利权人： ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフトＷａｃｋｅｒ Ｃｈｅｍｉｅ ＡＧ
- 优先权： DE102010063407 2010-12-17
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304
公开/授权文献:
- JP2012134489A Method and device for producing thin silicon rods 公开/授权日：2012-07-12
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |