发明专利
JP5475260B2 Wiring structure, a thin film transistor substrate and method of manufacturing the same, and display device
有权
基本信息:
- 专利标题： Wiring structure, a thin film transistor substrate and method of manufacturing the same, and display device
- 申请号：JP2008253840 申请日：2008-09-30
- 公开(公告)号：JP5475260B2 公开(公告)日：2014-04-16
- 发明人： 信之 川上 , 元隆 越智 , 綾 三木 , 晋也 森田 , 嘉宏 横田 , 信也 福間 , 裕史 後藤
- 申请人： 株式会社神戸製鋼所
- 专利权人： 株式会社神戸製鋼所
- 当前专利权人： 株式会社神戸製鋼所
- 优先权： JP2008109618 2008-04-18; JP2008253840 2008-09-30
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; G02F1/1368 ; G09F9/30 ; H01L21/336 ; H01L29/417 ; H01L29/78 ; H01L29/786
摘要：
An interconnection structure, containing a substrate and, in the following order from a side of the substrate: (I) a semiconductor layer; (II) a multilayer structure including (II-a) a first layer containing at least one type of an element selected from the group consisting of nitrogen, carbon and fluorine and (II-b) an Al—Si diffusion layer containing Al and Si; and (III) an Al film of pure Al or an Al alloy, wherein the at least one of element selected from the group consisting of nitrogen, carbon, and fluorine in the first layer is bonded with Si contained in the semiconductor layer.
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |