基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device
- 申请号：JP2008515581 申请日：2007-05-16
- 公开(公告)号：JP5168142B2 公开(公告)日：2013-03-21
- 发明人： 宗弘 多田 , 浩人 大竹 , 文則 伊藤 , 博規 山本 , 喜宏 林
- 申请人： 日本電気株式会社
- 专利权人： 日本電気株式会社
- 当前专利权人： 日本電気株式会社
- 优先权： JP2006137457 2006-05-17
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/3065 ; H01L21/3205 ; H01L23/522 ; H01L23/532
公开/授权文献:
- JPWO2007132879A1 半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 公开/授权日：2009-09-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |