基本信息:
- 专利标题： Afm type of data storage device
- 申请号：JP2008011635 申请日：2008-01-22
- 公开(公告)号：JP4972000B2 公开(公告)日：2012-07-11
- 发明人： エー・ギブソン ゲイリー
- 申请人： ヒューレット・パッカード・カンパニーHewlett−Packard Company
- 专利权人： ヒューレット・パッカード・カンパニーHewlett−Packard Company
- 当前专利权人： ヒューレット・パッカード・カンパニーＨｅｗｌｅｔｔ−Ｐａｃｋａｒｄ Ｃｏｍｐａｎｙ
- 优先权： US72662100 2000-12-01
- 主分类号： H01L27/10
- IPC分类号： H01L27/10 ; H01L27/105 ; B82B1/00 ; G01Q30/04 ; G01Q60/40 ; G11B9/00 ; H01L45/00
摘要：
An ultra-high density data storage device comprises at least one energy-channeling component (120) and a storage medium (240) with at least one rectifying junction region (290). The energy-channeling component (120) is generally capable of emitting thermal, optical and electronic energy. The energy-channeling component (120) is generally located either within close proximity of or in direct contact with the storage medium (240). The storage medium (240) typically includes nanometer-scaled storage areas (130,140) .
公开/授权文献:
- JP2008172252A Afm version of data storage device 公开/授权日：2008-07-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/10 | ...在重复结构中包括有多个独立组件的 |