发明专利
JP4963831B2 Semiconductive structure, conductivity and / or thermally conductive structure, a method for producing the structure, and use thereof
有权
基本信息:
- 专利标题： Semiconductive structure, conductivity and / or thermally conductive structure, a method for producing the structure, and use thereof
- 申请号：JP2005369205 申请日：2005-12-22
- 公开(公告)号：JP4963831B2 公开(公告)日：2012-06-27
- 发明人： 寿一 池辺 , 勇志 長尾
- 申请人： 佐藤ライト工業株式会社 , 昭和電工株式会社
- 专利权人： 佐藤ライト工業株式会社,昭和電工株式会社
- 当前专利权人： 佐藤ライト工業株式会社,昭和電工株式会社
- 优先权： JP2005369205 2005-12-22
- 主分类号： C08J5/16
- IPC分类号： C08J5/16 ; C08K7/06 ; C08L101/00 ; C09K3/16 ; F16C33/20 ; H01B1/24
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C08 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 |
| ----C08J | 加工；配料的一般工艺过程；不包括在C08B，C08C，C08F，C08G或C08H小类中的后处理 |
| ------C08J5/00 | 含有高分子物质的制品或成形材料的制造 |
| --------C08J5/16 | .具有降低摩擦制品或材料的制造 |