基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device
- 申请号：JP2005164492 申请日：2005-06-03
- 公开(公告)号：JP4961686B2 公开(公告)日：2012-06-27
- 发明人： 仁 山口 , 純 榊原 , 巨裕 鈴木
- 申请人： 株式会社デンソー
- 专利权人： 株式会社デンソー
- 当前专利权人： 株式会社デンソー
- 优先权： JP2005164492 2005-06-03
- 主分类号： H01L29/868
- IPC分类号： H01L29/868 ; H01L21/822 ; H01L21/8234 ; H01L27/04 ; H01L27/06 ; H01L27/088 ; H01L29/861
摘要：
A semiconductor device includes: a semiconductor substrate having a first surface and a second surface, wherein the substrate has a first conductive type; a first trench extending from the first surface of the semiconductor substrate in a depth direction; and an epitaxial semiconductor layer having a second conductive type, wherein the epitaxial semiconductor layer is disposed in the first trench. The first trench includes an inner wall as an interface between the semiconductor substrate and the epitaxial semiconductor layer so that the interface provides a PN junction. The first trench has an aspect ratio equal to or larger than 1.
公开/授权文献:
- JP2006339527A Semiconductor device and its manufacturing method 公开/授权日：2006-12-14
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/868 | ....PIN二极管 |