发明专利
JP4922286B2 Ion implantation system and fluorine chemical supply source, as well as xenon difluoride supply method
有权
基本信息:
- 专利标题： Ion implantation system and fluorine chemical supply source, as well as xenon difluoride supply method
- 申请号：JP2008501921 申请日：2006-03-09
- 公开(公告)号：JP4922286B2 公开(公告)日：2012-04-25
- 发明人： スウィーニー，ジョセフ，ディー． , ダイエッツ，ジェームズ，アイ． , マーガンスキ，ポール，ジェイ．
- 申请人： アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド
- 专利权人： アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド
- 当前专利权人： アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド
- 优先权： US66251505 2005-03-16; US66239605 2005-03-16
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; B01L99/00 ; C23C16/448 ; F17C7/00
公开/授权文献:
- JP2008538158A System for delivery of reagent from solid raw materials 公开/授权日：2008-10-09
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |